Sticanje osnovnih znanja iz oblasti modelovanja i simulacija poluprovodničkih komponenti. Osposobljavanje studenata za kombinovanje teorijskog i simulacionog pristupa tokom modelovanja komponenti.

- poznavanje sekundarnih efekata u savremenim submikronskim komponentama - sposobnost prepoznavanja efekata u savremenim modelima submikronskih komponenata -sposobnost procene uticaja efekata prvog i drugog rega submikronskih transistora na osnovu rezultata simulacija u programskom alatu Cadence.

Osnovne osobine mikroelektronskih kola. Osnovni model MOSFET-a malih dimenzija. Napredni model MOSFET-a malih dimenzija (efekat visokog električnog polja- modulacija dužine kanala, efekat vrućih elektrona, promena pokretljivosti kao funkcija polarizacije gejta, efekti kratkog kanala- DIBL, struje curenja gejta i efektivna debljina oksida ). Modelovanje parazitnog bipolarnog tranzistora u strukturi MOSFET-a. Modelovanje promene paraga provođenja MOSFET-a. Modelovanje rada MOSFET-a u nekvazistacionarnim procesima. RF MOSFET model. . Pregled savremenih MOSFET modela (BSIM, EKV, MOS MODEL9, MOSA1, ). Heterospojne elektronske komponente (MESFET, HEMT, HBT). Modelovanje poluprovodničkih procesa i neslaganja parametara komponenti (device mismatch). Korišćenje programskog paketa Cadence tokom simulacija i analiza modela komponenti.

Predavanja; Auditorne vežbe; Računarske vežbe; Laboratorijske vežbe; Konsultacije.